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集成电源模块的电子技术

发布时间:2020-07-21 18:41:28 阅读: 来源:洗地机厂家

IGBT刚出现时,电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内,耐压水平限于1200V~1700V,经过长时间的探索研究和改进,现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A,高压IGBT单片耐压已达到6500V,一般IGBT的工作频率上限为20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT,可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

本文引用地址:其共同点是,二 者集成的对象都是电子电路。因此,集成电路中的许多技术都为电力电子集成技术所借鉴。例如,单片电力电子集成技术就和集成电路十分相似。起源于集成电路封 装技术的多芯片模块(Multi Chip Module-MCM)技术就对电力电子集成技术有很大的借鉴意义。共同点主要是:信息电力技术特别容易在单 个芯片上实现,甚至出了片上系统(System on Chip-SOC)的概念和技术。而在电力电子集成中,单片集成就要困难很多。因为电力电子中主电 路通常电压较高、功率较大、发热严重、电磁干扰也严重,而控制电路通常电压较低、本身功耗不大也难于承受高压,抗电磁干扰性能也较弱。因此,电压隔离、热隔离、抗电磁干扰就成为电力电子集成技术的三大问题。

碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。

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